上一个32G的U盘被女朋友（电子产品杀手）玩坏了，说了无数次资料要有备份，不听![]()
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到头来还要骂我
楼主原来的装机U盘是8G的，镜像+软件啥的有点放不下了，然后自然是要撸一个u盘，看遍淘宝评论，选定了这货
链接就不放了，关注店铺可以领2元优惠券，然后看下图
35.8-2-（33.8*0.1*0.95）=30.589元到手（懂的自然懂）
PS：楼主的号原来没给拉新，现在只能用一淘![]()
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可以的话大家在买的时候表明一下来自数码之家，谢谢~~（不说也没事，反正我也没捞啥好处）
打这波广告也只是觉得这么良心的一家企业不应该被埋没，反而卖垃圾产品的某顿，某台....混得那么好
这张图是偷的![]()
外壳logo可以定制的，看宝贝详情
到手先看信息![]()
闪存识别错误了
拆拆拆![]()
（这货是热熔胶固定的，打火机烤一下就可以拔出来![]()
）
实际使用的闪存是THGLF2G8J4LBATD
查了一下是15nm东芝MLC的UFS颗粒
然后下面查自某知乎大神：
东芝UFS闪存不完全一览（含命名规则举例）
命名规则举例：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）
字符1： T: "Toshiba" 东芝
字符2： H: "Multi-chip" 多芯片封装
字符3： G: Symbol of Type of flash type "IC" 集成电路
字符4： A: Symbol of "voltage type" 表示供电电压类型
字符5： F: NAND Interface type is "UFS" 闪存接口类型为UFS
字符6： 4: Unique code of controller revision 内置控制器版本为4
字符7： G: Memory density calculated by G bits 容量用G bits表示
字符8： 9: Memory density is 2^9=512G bits (64GB) 2的9次方，512G bits，即64GB
字符9： N: Symbol of "cell level" (cell technology) 架构为MLC
字符10： 4: Number of stacked chips is 4 封装内含堆叠芯片数为4
字符11： L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) 制程为15nm
字符12-13： BA: Package type is BGA lead free and halogen free 无铅无卤素BGA封装
字符14： I: Symbol of Mode "industrial version" -25oC to 85oC 工业版本
字符15： R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm 封装大小
其中，第9个字符与闪存架构有关：
1）SLC（Single-Level Cell）为S或H；
2）DLC（Dua-Level Cell）为D或E【不常见】；
3）TLC（Triple-Level Cell）为T或U；
4）MLC（Multi-Level Cell）为B、C、J、K、L、N 等。
UP307=PS2251-07
群联的经典主控
一般的U盘限于体积和结构，散热都是很差的，这款当然也不例外，然后我给大家来一个错误的示范
你没看错，灌的704硅胶![]()
我TM拍照的时候才反应过来![]()
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本来是打算灌导热硅胶（硅酮导热胶）手残拿错了
下面上一个天目硅胶的各种参数图，还好U盘发热功率不算大，704应该也问题不大
下面是测试部分：
错误当然是不可能的![]()
那就跑个分吧，开始后就吃饭去了![]()
结果。。。卡在4k
果然4k性能感人，这个锅我打算让群联来背![]()
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UFS的4k怎么也不会这么差
这个软件测速貌似不太准确，尤其小文件
这是实际使用的写入速度
这是实际使用的读取速度
最后说几个u盘使用的注意事项吧
1，热拔插--虽然是这样设计的，但是有读写的时候还是不要操作，容易掉固件
2，不要在U盘里面进行大量的文件编辑，系统会不断产生缓存文件，影响寿命
3，注意散热，闪存这玩意比较娇贵，毕竟是个电荷存储器，热了会不稳定
4，定期备份资料，然后清空U盘再写入，因为U盘主控大多只有动态磨损均衡（就是只能在空白区域进行磨损均衡）如果你的U盘快满了，你还进行大量读写操作的话，那会挂得很快
楼主也是小白，希望大家多多指教
END---谢谢大家能有耐心看完
到头来还要骂我楼主原来的装机U盘是8G的，镜像+软件啥的有点放不下了，然后自然是要撸一个u盘，看遍淘宝评论，选定了这货
链接就不放了，关注店铺可以领2元优惠券，然后看下图
35.8-2-（33.8*0.1*0.95）=30.589元到手（懂的自然懂）
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闪存识别错误了拆拆拆
（这货是热熔胶固定的，打火机烤一下就可以拔出来
）实际使用的闪存是THGLF2G8J4LBATD
查了一下是15nm东芝MLC的UFS颗粒
然后下面查自某知乎大神：
东芝UFS闪存不完全一览（含命名规则举例）
命名规则举例：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）
字符1： T: "Toshiba" 东芝
字符2： H: "Multi-chip" 多芯片封装
字符3： G: Symbol of Type of flash type "IC" 集成电路
字符4： A: Symbol of "voltage type" 表示供电电压类型
字符5： F: NAND Interface type is "UFS" 闪存接口类型为UFS
字符6： 4: Unique code of controller revision 内置控制器版本为4
字符7： G: Memory density calculated by G bits 容量用G bits表示
字符8： 9: Memory density is 2^9=512G bits (64GB) 2的9次方，512G bits，即64GB
字符9： N: Symbol of "cell level" (cell technology) 架构为MLC
字符10： 4: Number of stacked chips is 4 封装内含堆叠芯片数为4
字符11： L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) 制程为15nm
字符12-13： BA: Package type is BGA lead free and halogen free 无铅无卤素BGA封装
字符14： I: Symbol of Mode "industrial version" -25oC to 85oC 工业版本
字符15： R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm 封装大小
其中，第9个字符与闪存架构有关：
1）SLC（Single-Level Cell）为S或H；
2）DLC（Dua-Level Cell）为D或E【不常见】；
3）TLC（Triple-Level Cell）为T或U；
4）MLC（Multi-Level Cell）为B、C、J、K、L、N 等。
UP307=PS2251-07
群联的经典主控
一般的U盘限于体积和结构，散热都是很差的，这款当然也不例外，然后我给大家来一个错误的示范
你没看错，灌的704硅胶
我TM拍照的时候才反应过来本来是打算灌导热硅胶（硅酮导热胶）手残拿错了下面上一个天目硅胶的各种参数图，还好U盘发热功率不算大，704应该也问题不大
下面是测试部分：
错误当然是不可能的
那就跑个分吧，开始后就吃饭去了
结果。。。卡在4k果然4k性能感人，这个锅我打算让群联来背
UFS的4k怎么也不会这么差这个软件测速貌似不太准确，尤其小文件
这是实际使用的写入速度
这是实际使用的读取速度
最后说几个u盘使用的注意事项吧
1，热拔插--虽然是这样设计的，但是有读写的时候还是不要操作，容易掉固件
2，不要在U盘里面进行大量的文件编辑，系统会不断产生缓存文件，影响寿命
3，注意散热，闪存这玩意比较娇贵，毕竟是个电荷存储器，热了会不稳定
4，定期备份资料，然后清空U盘再写入，因为U盘主控大多只有动态磨损均衡（就是只能在空白区域进行磨损均衡）如果你的U盘快满了，你还进行大量读写操作的话，那会挂得很快
楼主也是小白，希望大家多多指教
END---谢谢大家能有耐心看完
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